强硬!三星海力士等政策调整,原厂采用和科技公司签3-5年供货协议!放弃一年短期合同

三星创纪录的财报数据！背后的根本原因竟然是……

　　对于三星财报，该公司预计，三星的智能手机和液晶屏部门一季度利润可能因内存成本上升和激烈竞争而均下滑约一半。与台积电竞争的三星代工业务预计仍将处于亏损状态。该部门最近与英伟达达成合作，双方将共同制造新的人工智能推理芯片。

　　与此同时，三星还面临工会的施压，要求公司调整奖金制度等。若双方无法达成协议，工会最快将在5月启动罢工。

　　三星的底气来源于自身强大的业绩支撑。此前，据三星电子披露业绩的数据，核实按合并财务报表口径计算的公司2026年第一季度营业利润同比大增755%，为57.2万亿韩元(约合人民币2610亿元)。销售额同比增加68.1%，为133万亿韩元。营业利润和销售额双双创下历史新高。

　　报道称，三星电子一季度营业利润较市场预期的41.8359万亿韩元高出36.7%。继2025年第四季度销售额和营业利润创下新高后，2026年一季度再次刷新纪录。三星电子单季度销售额突破100万亿韩元、营业利润突破50万亿韩元均属首次。

　　为啥三星能取得如此炸裂的业绩？存储芯片价格的全线上涨是三星本次业绩爆发的核心驱动力。数据显示，2026年第一季度DRAM均价环比上涨100%，目前三星已与客户敲定第二季度DRAM价格再提价30%，相较2025年初累计涨幅已达2.6倍；NAND闪存第一季度均价上涨85%-90%，第二季度预计上涨70%-75%。整体来看，存储芯片价格相比2025年初平均上涨超2.5倍，接近3倍。

　　从利润结构来看，三星设备解决方案（DS）部门当期营业利润超42万亿韩元，占总利润的七成，其中高附加值的HBM（高带宽内存）业务营收同比增长超300%。据里昂证券测算，内存业务合计贡献了三星本次近90%的营业利润。

　　本轮存储芯片价格暴涨与AI产业的爆发直接相关。当前全球AI基础设施建设需求激增，单台AI服务器对HBM、DRAM的需求量是普通服务器的数倍，包括三星在内的全球三大存储厂商均将产能向高毛利的HBM、服务器DRAM产品倾斜，导致消费端存储供应持续紧缺。机构预计，本次存储芯片供不应求的格局至少将持续到2027年。

　　机构对三星全年业绩普遍持乐观预期，花旗银行预计三星2026年全年营业利润将达310万亿韩元，同比增长超6倍。第三方市场机构TrendForce数据显示，2026年第一季度DRAM合约价实际涨幅达93%-98%，第二季度预计将再上涨58%-63%。

　　对于三星的业绩，据分析师透露，随着人工智能热潮兴起，存储芯片需求激增，三星电子半导体凭借雄厚竞争力带动公司整体业绩向好。

　　对于未来业务，分析师提到，三星电子当天未披露各业务部门具体业绩，券商预测，负责芯片业务的设备解决方案(DS)部门第一季度营业利润远超50万亿韩元；负责智能手机和移动设备业务的移动体验(MX)和网络部门营业利润将达2万亿韩元以上。

　　而在存储芯片的火热需求下，三星电子已与主要客户完成第二季度DRAM价格谈判并签署供货合同，价格大幅度上扬，存储市场热度依旧。

　　2026年4月，全球内存产业巨头三星电子与主要客户完成谈判并签署供应合同，二季度DRAM（动态随机存取存储器）供货价环比上涨30%。上述30%价格涨幅涵盖产品范围不仅包括服务器、PC、移动设备使用的通用DRAM，还包括用于AI领域的HBM（高带宽内存）。

　　2026年一季度，三星电子已将DRAM均价上调100%。以2026年初DRAM价格为基数计算，年内三星电子DRAM供货价格已累计上涨160%。

　　截至4月7日，三星电子最新的服务器DRAM“DDR5 16Gb 4800/5600”芯片价格上涨至37美元/片，每克价格达32.77万韩元，比以韩元定价的黄金价格22.46万韩元/克，高出45.9%。

　　知名大厂DRAM芯片报价大涨，将带动全市场内存价格上涨。从内存芯片来看，据ChinaFlashMarket提供的数据，自2025年9月末本轮内存涨价行情启动至2026年3月31日，“DDR4 16Gb 3200”内存芯片价格从6.8美元/片上涨至50美元/片，半年内累计涨幅高达635.29%。

　　同期，规格为“DDR4 8Gb 3200”“DDR5 24Gb Major”“DDR5 16Gb Major”的内存芯片价格分别累计上涨275%、323.53%和400%。

　　再看DRAM内存模组。2025年9月末至2026年3月末的半年内，“DDR4 SODIMM 16GB 3200”笔记本内存条价格从48美元/条上涨至200美元/条，累计涨幅为316.67%。同期，规格为“DDR4 UDIMM 16GB 3200”和“DDR5 UDIMM 16GM 6000”的主机内存条价格累计涨幅分别为233.33%和373.68%。

　　西南证券研报指出，本轮存储器周期主要由以下三大因素推动：其一，AI大模型技术超预期迭代升级，全球Token（AI读写文字最小计量单位）消耗量爆发式增长，由此带来海量数据存储、处理和检索需求，推动存储行业迎来景气周期；其二，海外三大原厂将有限产能向高利润HBM和DDR5产品倾斜，对消费级和低端存储芯片产能造成严重挤压，供需缺口扩大；其三，存储原厂在上轮周期产能和资本开支过度后，本轮周期扩产动作均较为谨慎，且高端HBM存储芯片存在洁净室建设周期长、良率爬坡困难等问题，短期供应持续偏紧。

　　2月20日，海力士在电话会上表示，所有客户需求都无法满足，受AI客户强劲需求和供应增长有限的推动，今年存储价格持续上涨，在DRAM和NAND上的库存仅余约4周，并预计这一水平在全年将继续下降，正在与主要客户讨论多年期的长期合约。海力士表示，2026年的HBM已全部售罄，满足客户需求的生产计划已经分配完毕，当前传统DRAM的供需紧张可能为2027年的HBM（高带宽内存）业务带来更有利的条款。

　　华金证券此前指出，存储周期稳步上行下，考虑到公司不断推进存储芯片工艺制程/品类迭代，Nor有望持续保持领先，随着DRAM头部大厂产能切换，公司或复制Nor Flash发展路径且定制化DRAM有望打开增量空间，叠加持续壮大MCU百货商店及传感器与模拟业务发展，在消费电子/汽车电子/工业等智能化背景下，业绩有望持续增长。

　　存储芯片需求目前仍然在高速释放，中信证券研报指出，看好Agent AI时代存力提升下存算产业趋势，近存计算高景气，看好HBM及CUBE产业链；同时存储紧缺下主流至利基存储全面缺货涨价，多家厂商反馈26Q2涨幅环比仍相仿。预计，存储行业供不应求至少到2027年底。

　　“现阶段，厂商似乎没有计划将HBM生产线改造为传统DRAM生产线，也没有计划将NAND生产线改造为DRAM生产线……因此预计DRAM的供应短缺“至少会持续未来几个季度，甚至可能持续到 2027 年。我们也预计这将导致未来几个季度价格环比上涨。”一位从事二十多年的存储产业人士说道。

为什么存储芯片价格能不断暴涨？背后的根本原因是什么……

　　存储芯片涨价的核心逻辑是AI算力需求爆发引发的供需结构性失衡。简单说，AI服务器作为最大的高端的存储芯片需求端，它用了大部分高端存储产能，而生产这些芯片的巨头们又优先保障利润更高的产品，导致消费级市场严重缺货，价格自也是随着供应短缺快速上涨。

　　AI大模型的训练和推理，对存储性能的要求达到了前所未有的高度。一台AI服务器对DRAM的需求是普通服务器的8-10倍，对NAND闪存的需求也达到3倍。这可不是小打小闹，像OpenAI规划的“星际之门”项目，每月就要消耗90万片HBM晶圆，相当于传统DRAM产能的3倍。

　　更关键的是，微软、谷歌这些云厂商和AI巨头，为了确保自家算力不“断粮”，早就提前锁定了未来几年的高端产能。结果就是，存储芯片从过去的成本配角，变成了决定AI性能的核心瓶颈，甚至谷歌DeepMind的CEO都公开表示，AI发展的瓶颈已经从算力转移到了内存。

　　需求端在疯狂“点菜”，供给端却在上演“挑肥拣瘦”。全球存储芯片市场由三星、SK海力士、美光三大巨头垄断，它们合计占据了超过95%的DRAM市场份额。面对AI带来的暴利诱惑，这些厂商不约而同地把生产线转向了利润更高的产品。

　　超过90%的产能被转向了AI服务器所需的HBM（高带宽内存）。同时，用于手机、电脑的消费级DDR4、LPDDR等低利润产品产能被大幅压缩，甚至三星、美光逐步停产了DDR4等老旧型号。

　　这种策略性调整，直接导致了一个奇特现象：DDR4这种“上一代”产品的现货价格，反而比新一代的DDR5还要高。生产HBM本身也更“吃”产能，制造它消耗的晶圆是标准DRAM的三倍以上，进一步加剧了通用存储的短缺。

　　当爆炸的需求遇上收缩的供给，市场天平彻底倾斜。SK海力士透露，其DRAM和NAND闪存的库存只剩下大约4周，远低于行业的安全水平。这还不是最糟的，2026年全年的HBM产能已经被提前售罄，新增订单根本无处可接。

　　这意味着什么？市场已经完全变成了“卖方市场”。供应商的议价权空前强大，价格飙升也就成了必然。2026年第一季度，DRAM价格环比暴涨了80%-90%，服务器用的256GB DDR5内存条价格甚至突破了4万元。

　　英特尔CEO警告说，内存短缺问题可能持续到2028年，而新建一座晶圆厂到量产需要2-3年，远水解不了近渴。这场由AI驱动的涨价风暴，正在重塑整个电子产业的成本结构。

　　目前，存储仍然在上升周期中，大同证券表示，当前电子行业正处于AI驱动的强劲上行周期，算力与存储是核心主线，上游涨价潮蔓延，国产替代加速推进。尽管A股电子板块短期因宏观扰动有所回调，但AI产业链基本面表现较为强劲。从台积电2纳米制程产能排满至2028年、GPU租赁价格飙升以及云厂商资本开支高企等现象看，AI短期和中期需求均未现明显放缓迹象，正持续向算力芯片、PCB/覆铜板、存储芯片等环节传导，并体现为业绩弹性较为突出。

　　存储涨价逻辑仍在，持续时间或许继续拉长。爱建证券表示，2024年开启的第三轮存储周期呈现出云厂商资本开支加码催生AI服务器需求爆发、智能手机配置持续升级等多因素共振驱动的多元特征。全球存储芯片市场涨价周期有望在2026年延续。

　　存储芯片已进入新一轮涨价周期，且有望在2026年持续，存储模组、封测、制造及上游设备材料等环节均有望受益。建议关注AI算力核心硬件、存储芯片全产业链、自主可控方向。

　　这轮涨价的背后，是人工智能浪潮催生的高阶存储需求与海外巨头战略性产能转移共同作用的结果，其核心是AI需求爆发对存储行业自身供需的扰动。

　　随着三星、SK海力士、美光等原厂将产能加速转向DDR5、HBM等高利润产品，传统DDR4及更早期的利基型存储产品出现阶段性供给缺口。业内预计，2026年二季度DRAM与NAND Flash价格将继续上涨，这一波存储涨价行情或将持续至年底。

　　整体来看，内存紧张趋势并未得到缓解，2026年第二季度合约价仍看涨，且该涨势将延续至下半年，对现货价格形成支撑。多家分析机构表示，短期扰动不改涨价周期的核心逻辑，内存产能紧张状况预计将持续至2027年或2028年才会有所缓解。

　　对呀存储企业业绩而言，分析师表示，2025年相关上市公司业绩爆发性增长验证行业景气度。从产业来看，供给侧方面，原厂严控产能与去库存效果显著。需求侧方面，AI服务器、高端智能手机及PC复苏强劲，推动DDR5、HBM等产品价格持续攀升。

　　往后看，一方面，国产替代进程加速，本土厂商在利基市场及高端存储领域份额提升；另一方面，新型存储技术迭代创造增量空间。整体而言，2026年随着下游应用扩展，相关公司业绩弹性有望进一步放大，行业高景气度具备持续性。在该阶段，具备产能优势与客户壁垒的龙头公司最为受益，但需要警惕的是涨价放缓以及需求波动带来的震荡风险。